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A SK hynix anunciou que desenvolveu a memória HBM3E, uma memória de acesso aleatório (DRAM) de alta velocidade de próxima geração para computação de alto desempenho e particularmente para o campo de IA. Essa memória, segundo a empresa, é a mais produtiva do mundo e atualmente está sendo verificada e testada pelos clientes da SK hynix.
HBM (High Bandwidth Memory) é uma memória de alta velocidade, que é uma pilha de vários chips DRAM conectados verticalmente, o que proporciona um aumento significativo na velocidade de processamento de dados em comparação com os chips DRAM convencionais. HBM3E é uma versão melhorada da memória HBM3 de quinta geração, que substituiu as gerações anteriores: HBM, HBM2, HBM2E e HBM3.
A SK hynix enfatiza que o desenvolvimento bem-sucedido do HBM3E foi possível graças à experiência da empresa como o único produtor em massa do HBM3. A produção em massa do HBM3E está programada para começar no primeiro semestre do próximo ano, o que fortalecerá a posição de liderança da empresa no mercado de memória AI.
De acordo com a SK hynix, o novo produto não apenas atende aos mais altos padrões da indústria em velocidade, um parâmetro de memória essencial para tarefas de IA, mas também em outras categorias, incluindo capacidade, dissipação de calor e usabilidade. O HBM3E é capaz de processar dados a velocidades de até 1,15 TB/s, o que equivale a transferir mais de 230 filmes Full HD de 5 GB cada por segundo.
Além disso, o HBM3E tem uma dissipação de calor 10% melhorada devido ao uso de tecnologia avançada Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). A nova memória também fornece compatibilidade com versões anteriores, o que permitirá que você a use em aceleradores existentes que foram criados no HBM3.
“Trabalhamos com a SK Hynix há muito tempo na área de memória de alta largura de banda para soluções avançadas de computação acelerada. Esperamos continuar nossa colaboração com a HBM3E para construir a próxima geração de computação de IA”, disse Ian Buck, vice-presidente de hiperescala e computação de alto desempenho da NVIDIA.
Sungsoo Ryu, chefe de planejamento de produtos DRAM da SK hynix, enfatizou que a empresa fortaleceu sua posição no mercado ao adicionar à linha de produtos HBM, que está em destaque devido ao desenvolvimento da tecnologia de IA.
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