Samsung Eletrônicos pretende lançar 1 TB de memória DDR5 em um único módulo graças a um avanço na fabricação de DRAM.
empresa sul-coreana desenvolvido a primeira RAM DDR32 de 5 gigabit (GB) do setor de memória com a maior capacidade, usando um processo de 12 nm. Graças a isto Samsung será capaz de produzir módulos de memória DDR5 de 1 TB, mas há outro benefício em mudar para DRAM de 32 GB. Em comparação com os módulos DRAM DDR5 de 16 GB existentes fabricados usando o processo de 12 nm, o consumo de energia dos módulos de 128 GB será reduzido em 10%.
De acordo com Sang-Joon Hwan, vice-presidente de produtos e tecnologia DRAM da Samsung Na eletrônica, inicialmente os principais consumidores desta memória serão data centers, inteligência artificial e big data: “Graças aos nossos 32 gigabytes de memória DRAM da classe 12 nm, obtivemos uma solução que nos permitirá criar módulos DRAM com um volume de até 1 TB, o que nos permitirá estar idealmente posicionados para atender à crescente necessidade de RAM de alta capacidade na era da IA (inteligência artificial) e big data… Continuaremos a desenvolver soluções DRAM usando processos de fabricação diferenciados e tecnologias de design para ampliar os limites da tecnologia de memória.”
Mais memória em menos espaço com menos consumo de energia sempre será popular entre os operadores de data centers. No entanto, esta tecnologia de memória deve eventualmente migrar para os módulos DDR5 usados em nossos desktops e laptops. Atualmente, os kits de memória de 192 GB compostos por quatro módulos parecem ser o nível mais alto para os consumidores.
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