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Samsung iniciou a produção em massa de memória 3D V-NAND para SSDs com PCIe 5.0 

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Samsung anunciou hoje o início da produção em massa do que se acredita ser a memória NAND 236D de 8 camadas, que a empresa chama de 2400ª geração V-NAND. Os novos chips têm uma taxa de transferência de dados de 12 Mbit/s e, em combinação com um controlador aprimorado, permitem a criação de unidades de estado sólido de classe cliente com uma taxa de transferência de dados superior a XNUMX Gbit/s.

O novo dispositivo V-NAND de 8ª geração tem capacidade de 1 TB (128 GB), o que Samsung reivindica a maior densidade de bits do setor sem revelar o tamanho do chip ou a densidade real. O chip também possui uma taxa de transferência de dados de 2400 Mbps, o que é vital para as melhores unidades de estado sólido PCIe 5.0 x4, que quando emparelhadas com o controlador apropriado fornecem velocidades de transferência de dados extremamente rápidas de 12,4 Gbps (ou mais!).

Samsung afirma que a nova geração de memória 3D NAND fornecerá desempenho 20% maior por wafer em comparação com as interfaces flash existentes de mesma capacidade, o que reduzirá os custos da empresa (assumindo o mesmo desempenho), potencialmente significando preços mais baixos para unidades de estado sólido.

Samsung 8ª geração V-NAND

Enquanto isso, a empresa não está dizendo nada sobre a arquitetura do dispositivo, mas com base na imagem fornecida, podemos supor que é um chip NAND 3D de dois planos.

"À medida que a demanda do mercado por unidades de armazenamento mais densas e de maior capacidade aumenta o número de camadas V-NAND, Samsung aplicou sua avançada tecnologia de dimensionamento 3D para reduzir a área de superfície e a altura, evitando a interferência célula a célula que geralmente ocorre ao reduzir a escala, disse SongHoi Hur, vice-presidente executivo Samsung Eletrônica em memória flash e tecnologias. "Nosso V-NAND de oitava geração ajudará a atender à crescente demanda do mercado e nos posicionará melhor para fornecer produtos e soluções mais diferenciados que sustentarão futuras inovações de armazenamento".

Samsung não anunciou nenhum produto real baseado em memória V-NAND de 8ª geração, mas podemos supor que os primeiros dispositivos serão focados em aplicativos clientes.

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