fabricante japonês de microcircuitos Kióxia memória flash desenvolvida NAND com aproximadamente 170 camadas, juntando-se à americana Micron Technology e à sul-coreana SK Hynix no desenvolvimento de tecnologias avançadas.
A nova memória NAND foi desenvolvida em conjunto com um parceiro americano western digital e pode gravar dados duas vezes mais rápido que o atual produto top da Kioxia, que consiste em 112 camadas.
Anteriormente conhecida como Toshiba Memory, a Kioxia planeja revelar seu novo NAND na International Solid State Conference, o fórum global anual da indústria de semicondutores, e planeja iniciar a produção em massa já no ano que vem.
Ela espera atender à demanda associada a data centers e smartphones, já que a disseminação de tecnologias sem fio de quinta geração leva a maiores volumes e velocidades de transmissão de dados. Mas a concorrência neste campo já está se intensificando: Micron e SK Hynix estão anunciando seus novos produtos.
A Kioxia também conseguiu encaixar mais células de memória por camada com seu novo NAND, o que significa que pode fazer chips 30% menores do que outros com a mesma quantidade de memória. Microcircuitos menores permitirão maior flexibilidade na criação de smartphones, servidores e outros produtos.
Para aumentar a produção de memória flash, a Kioxia e a Western Digital planejam iniciar a construção de uma fábrica de US$ 9,45 bilhões em Yokkaido, no Japão, nesta primavera. Eles pretendem colocar as primeiras linhas em operação já em 2022.
Leia também: