É esperado que Samsung anunciará o início da produção em massa de chips de 3nm na próxima semana, relata o Yonhap News. Isso coloca a empresa à frente da TSMC, que deve iniciar a produção de chips de 3nm no segundo semestre deste ano.
Comparado ao processo de 5 nm (que foi usado para Snapdragon 888 e Exynos 2100), o nó de 3 nm da Samsung reduzirá a área em 35%, aumentará o desempenho em 30% e reduzirá o consumo de energia em 50%.
Isso será alcançado mudando para o design do transistor Gate-All-Around (GAA). É o próximo passo após o FinFET, pois permite que o tamanho dos transistores seja reduzido sem comprometer sua capacidade de conduzir corrente. O design GAAFET usado no nó de 3 nm é mostrado na figura abaixo.
O presidente dos EUA, Joe Biden, visitou a fábrica no mês passado Samsung em Pyeongtaek para participar de uma demonstração da tecnologia 3nm Samsung. No ano passado, houve rumores de que a empresa poderia investir US$ 10 bilhões na construção de uma fundição de 3nm no Texas. Esses investimentos cresceram para US$ 17 bilhões. A planta deve começar a operar em 2024.
De qualquer forma, a maior preocupação ao criar um novo nó é a saída. Em outubro do ano passado Samsung afirmou que o desempenho do processo de 3 nm está "se aproximando do mesmo nível do processo de 4 nm". Embora a empresa não tenha apresentado números oficiais, analistas acreditam que o nó de 4 nm Samsung estava associado a problemas de saída de produção.
Um nó de 3nm de segunda geração é esperado em 2023, e o roteiro da empresa também inclui um nó baseado em MBCFET de 2nm em 2025.
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